機能表面創成工学（村田順二）研究室 立命館大学理工学部機械工学科

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論文

*Corresponding Author

  1. Tatsuya Fujii, Atsuki Tsuji, Masaru Takizawa and Junji Murata*, Solid-state electrochemical oxidation with polyelectrolyte membrane stamps for micro-/nanoscale pattern formation on Au surfaces, Nanoscale, 16 (2024), 18811-18823.
  2. N. Inada, M. Takizawa, M. Adachi, J. Murata*, Sustainable Electrochemical Mechanical Polishing (ECMP) for 4H-SiC wafer using chemical-free polishing slurry with hydrocarbon-based solid polymer electrolyte, Applied Surface Science, 664 (2024), 160241
  3. K. Yamazaki, A. Tsuji, M. Takizawa, J. Murata*, Ultrafast Solid-State Electrochemical Imprinting Utilizing Polymer Electrolyte Membrane Stamps for Static/Dynamic Structural Coloration and Letter Encryption, Small Methods, (2024), 2301787
  4. A. Tsuji, E. Morimoto, M. Takizawa, J. Murata*, Cu Direct Nanopatterning Using Solid-State Electrochemical Dissolution at the Anode/Polymer Electrolyte Membrane Interface, Advanced Materials Interfaces, 11 (2024), 2300896
  5. J. Murata*, K. Hayama, M. Takizawa, Environment-friendly electrochemical mechanical polishing using solid polymer electrolyte/CeO2 composite pad for highly efficient finishing of 4H-SiC (0001) surface, Applied Surface Science , 625 (2023), 157190
  6. A. Tsuji, P. Jia, M. Takizawa, J. Murata*, Improvement in the Polishing Characteristics of Titanium-Based Materials Using Electrochemical Mechanical Polishing, Surfaces and Interfaces , 35 (2022), 102490-102490
  7. P. Jia, R. Umezaki, J. Murata*, Direct micropatterning on a titanium surface through electrochemical imprint lithography with a polymer electrolyte membrane stamp , Microelectronic Engineering, 257 (2022), 111752
  8. S. Zulkifle, K. Hayama, J. Murata*, High-efficiency wafer-scale finishing of 4H-SiC (0001) surface using chemical-free electrochemical mechanical method with a solid polymer electrolyte, Diamond and Related Materials, 120 (2021), 108700
  9. R. Umezaki, J. Murata*, Electrochemical imprint lithography on Si surface using a patterned polymer electrolyte membrane, Materials Chemistry and Physics, 259(2021), 124081
  10. 村田順二*, 谷泰弘, 桐野宙治, 砥粒の滞留性に着目した微粒子添加ラッピングによる研磨特性の向上, 砥粒加工学会誌, 65(2021), 195
  11. J. Murata*, D. Nagatomo, Investigation of Electrolytic Condition on Abrasive-Free Electrochemical Mechanical Polishing of 4H-SiC Using Ce Thin Film, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 9(2020), 034002
  12. J. Murata*, M. Kagawa, Photo-Assisted Chemical Mechanical Polishing of Si Wafer Using Phosphorescent Particles as a Luminescent Agent, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 8(2019), 727
  13. J. Murata*, K. Goda, Abrasive-free surface finishing of glass using a Ce film, Journal of Materials Processing Technology, 265(2019), 56
  14. J. Murata*, Y. Nishiguchi,Takeshi Iwasaki, Liquid electrolyte-free electrochemical oxidation of GaN surface using a solid polymer electrolyte toward electrochemical mechanical polishing, Electrochemistry Communications, 97(2018), 110
  15. J. Murata*, K. Yodogawa, K. Ban, Polishing-pad-free electrochemical mechanical polishing of single-crystalline SiC surfaces using polyurethane–CeO2 core–shell particles, International Journal of Machine Tools and Manufacture, 114(2017), 1
  16. 一廼穂直聡*, 村田順二, 谷泰弘, 張宇, 複合砥粒を用いた研磨に適した研磨パッドの表面構造, 日本機械学会論文集, 82(2016), 15
  17. J. Murata*, Y. Ueno, K. Yodogawa, T. Sugiura, Polymer/CeO2-Fe3O4 multicomponent core-shell particles for high-efficiency magnetic-field-assisted polishing processes, International Journal of Machine Tools and Manufacture, 101(2016), 28
  18. 村田順二, 機械工学導入教育における精密研磨技術を題材とした創造的教育プログラム, 工学教育, 63(2015), 58
  19. J. Murata*, S. Sadakuni, Photo-electrochemical etching of free-standing GaN wafer surfaces grown by hydride vapor phase epitaxy, Electrochimica Acta, 171(2015), 89
  20. 村田順二*, 稲澤求, 谷泰弘,張宇, エポキシ樹脂研磨パッドの粘弾性と研磨特性, 日本機械学会論文集, 80(2014), SMM0253-1-11
  21. 村田順二*, 土田剛史, 谷泰弘,張宇, ワイヤ擦過援用ウェットエッチングによるシリコンの高アスペクト比溝形成 -シリコンインゴットの切断に向けた基礎的検討-, 日本機械学会論文集, 80(2014), SMM0183-1-10
  22. 張宇,谷泰弘*, 村田順二, 電着工具用の部分Ni被覆ダイヤモンド砥粒の開発, 日本機械学会論文集, 80(2014), SMM0111-1-12
  23. A. N. Hattori*, Ken Hattori, Y. Moriwaki, A. Yamamoto, S. Sadakuni, J. Murata, K. Arima, Y. Sano, K. Yamauchi, Hiroshi Daimon, Katsuyoshi Endo, Enhancement of photoluminescence efficiency from GaN(0001) by surface treatments, Japanese Journal of Applied Physics, 53(2014), 021001-1-5
  24. S. Sadakuni, J. Murata, Y. Sano, K. Yagi, S. Matsuyama, K. Yamauchi*, Bias-assisted photochemical planarization of GaN(0001) substrate with damage layer, Japanese Journal of Applied Physics, 52(2013), 036504-1-4
  25. 北井庸平, 村田順二, 谷泰弘*,張宇, エポキシ樹脂を適用したスエードパッドによるガラス研磨特性の向上, 日本機械学会論文集C編, 79(2013), 5019-5028
  26. 一廼穂直聡, 村田順二, 谷泰弘*, 張宇, 山田美幸, 楊原武, 滞留性を考慮した複合砥粒の開発とその研磨特性, 日本機械学会論文集（C編）, 78(2012), 2302-2311
  27. J. Murata*, S. Sadakuni, T. Okamoto, A. N. Hattori, K. Yagi, Y. Sano, K. Arima, K. Yamauchi, Structural and chemical characteristics of atomically smooth GaN surfaces prepared by abrasive-free polishing with Pt catalyst, Journal of Crystal Growth, 349(2012), 83-88
  28. T. Okamoto, Y. Sano, K. Tachibana, B. V. Pho, K. Arima, K. Inagaki, K. Yagi, J. Murata, S. Sadakuni, H. Asano, A. Isohashi, K. Yamauchi*, Improvement of Removal Rate in Abrasive-Free Planarization of 4H-SiC Substrates Using Catalytic Platinum and Hydrofluoric Acid, Japanese Journal of Applied Physics, 51(2012), 0406501-1-4
  29. J. Murata*, T. Okamoto, S. Sadakuni, A. N. Hattori, K. Yagi, Y. Sano, K. Arima, K. Yamauchi, Atomically Smooth Gallium Nitride Surfaces Prepared by Chemical Etching with Platinum Catalyst in Water, Journal of the Electrochemical Society, 159(2012), H417-H420
  30. S. Sadakuni, J. Murata, Y. Sano, K. Yagi, T. Okamoto, Kazuma Tachibana, Hiroya Asano, K. Yamauchi*, Atomically controlled chemical polishing of GaN using platinum and hydrofluoric acid, Physica Status Solidi (C), 9(2012), 433-435
  31. 李承福, 桐野宙治, 谷泰弘*, 村田順二, ガラス研磨における酸化セリウムの代替砥粒開発, 日本機械学会論文集C編, 78(2012), 2710-2719
  32. A. N. Hattori*, T. Okamoto, S. Sadakuni, J. Murata, H. Oi, K. Arima, Y. Sano, K. Hattori, H. Daimon, K. Endo, K. Yamauchi, Structure and Magnetic Properties of Mono- and Bi-Layer Graphene Films on Ultraprecision Figured 4H-SiC(0001) Surfaces, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 11(2011), 2897-2902
  33. T. Okamoto, Y. Sano, Kazuma Tachibana, K. Arima, A. N. Hattori, K. Yagi, J. Murata, S. Sadakuni, K. Yamauchi*, Dependence of Process Characteristics on Atomic-Step Density in Catalyst-Referred Etching of 4H-SiC(0001) Surface, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 11(2011), 2928-2930
  34. S. Sadakuni, J. Murata, K. Yagi, Y. Sano, T. Okamoto, Arima Kenta, A. N. Hattori, K. Yamauchi*, Efficient Wet Etching of GaN (0001) Substrate with Subsurface Damage Layer, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 11(2011), 2979-2982
  35. J. Murata*, Y. Shirasawa, Y. Sano, S. Sadakuni, K. Yagi, T. Okamoto, A. N. Hattori, K. Arima, K. Yamauchi, Improved Optical and Electrical Characteristics of Free-Standing GaN Substrates by Chemical Polishing Utilizing Photo-Electrochemical Method, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 11(2011), 2882-2885
  36. A. N. Hattori*, T. Okamoto, S. Sadakuni, J. Murata, K. Arima, Y. Sano, Ken Hattori, H. Daimon, K. Endo, K. Yamauchi, Formation of wide and atomically flat graphene layers on ultraprecision-figured 4H-SiC(0001) surfaces, Surface Science, 605(2011), 597-605
  37. T. Okamoto, Y. Sano, Kazuma Tachibana, K. Arima, A. N. Hattori, K. Yagi, J. Murata, S. Sadakuni, K. Yamauchi*, Abrasive-free planarization of 3-inch 4H-SiC substrate using catalyst-referred etching, Material Science Forum, 679-680(2011), 493
  38. S. Sadakuni, Ngo Xuan Dai, Y. Sano, K. Arima, K. Yagi, J. Murata, T. Okamoto, Kazuma Tachibana, K. Yamauchi*, TEM observation of 8 deg off-axis 4H-SiC (0001) surfaces planarized by catalyst-referred etching, Material Science Forum, 679-680(2011), 489
  39. S. Sadakuni, J. Murata, K. Yagi, Y. Sano, K. Arima, T. Okamoto, K. Tachibana, K. Yamauchi*, Influence of gallium additives on surface roughness for photoelectrochemical planarization of GaN, Physica Status Solidi (C), 8(2011), 2223-2225
  40. 村田順二, 谷泰弘*, 広川良一, 野村信幸, 張 宇, 宇野純基, ガラス研磨用エポキシ樹脂研磨パッドの開発, 日本機械学会論文集C編, 77(2011), 2153-2161
  41. T. Okamoto, Y. Sano, H. Hara, T. Hatayama, K. Arima, K. Yagi, J. Murata, S. Sadakuni, K. Tachibana, Y. Shirasawa, H. Mimura, T. Fuyuki, K. Yamauchi*, Reduction of surface roughness of 4H-SiC by catalyst-referred etching, Material Science Forum, 645-648(2010), 775
  42. S. Sadakuni, J. Murata, K. Yagi, Y. Sano, K. Arima, Azusa Hattori, T. Okamoto, K. Yamauchi*, Influence of the UV Light Intensity on the Photoelectrochemical Planarization Technique for Gallium Nitride, Material Science Forum, 645-648(2010), 795
  43. Y. Tani*, T. Kim, J. Murata, Y. Zhang, S. Sawayama, K. Tsutanaka, On-machine Method to Condition the Grinding Ability of Resin-Bond Wheels, Advanced Materials Research, 126-128(2010), 159-164
  44. 谷泰弘*, 宇田隆三, 楠本丈朗, 村田順二, 張 宇, 電鋳技術を適用した水晶研磨用極薄キャリアの開発, 日本機械学會論文集 C編, 76(2010), 3837-3842
  45. J. Murata*, S. Sadakuni, K. Yagi, Y. Sano, T. Okamoto, K. Arima, A. N. Hattori, H. Mimura, K. Yamauchi, Planarization of GaN(0001) Surface by Photo-Electrochemical Method with Solid Acidic or Basic Catalyst, Japanese Journal of Applied Physics, 48(2009), 121001
  46. J. Murata, A. Kubota, K. Yagi, Y. Sano, H. Hara, K. Arima, T. Okamoto, H. Mimura, K. Yamauchi*, New chemical planarization of SiC and GaN using an Fe plate in H2O2 solution, Material Science Forum, 600-603(2009), 815
  47. T. Okamoto, Y. Sano, H. Hara, K. Arima, K. Yagi, J. Murata, H. Mimura, K. Yamauchi*, Damage-free Planarization of 2-inch 4H-SiC Wafer Using Pt Catalyst Plate and HF Solution, Material Science Forum, 600-603(2009), 835
  48. A. Kubota*, K. Yagi, J. Murata, H. Yasui, S. Miyamoto, H. Hara, Y. Sano, K. Yamauchi, A Study on a Surface Preparation Method for Single-Crystal SiC Using an Fe Catalyst, Journal of Electronic Materials, 38(2009), 159-163
  49. K. Yagi, J. Murata, A. Kubota, Y. Sano, H. Hara, T. Okamoto, K. Arima, H. Mimura, K. Yamauchi*, Catalyst-referred etching of 4H-SiC substrate utilizing hydroxyl radicals generated from hydrogen peroxide molecules, Surface and Interface Analysis, 40(2008), 998-1001
  50. J. Murata, A. Kubota, K. Yagi, Y. Sano, H. Hara, K. Arima, T. Okamoto, H. Mimura, K. Yamauchi*, Chemical planarization of GaN using hydroxyl radicals generated on a catalyst plate in H2O2 solution, Journal of Crystal Growth, 310(2008), 1637-1641
  51. K. Yagi, J. Murata, A. Kubota, Y. Sano, H. Hara, K. Arima, T. Okamoto, H. Mimura, K. Yamauchi*, Defect-free planarization of 4H-SiC(0001) substrate using reference plate, Japanese Journal of Applied Physics, 47(2008), 104-107
  52. K. Arima*, H. Hara, J. Murata, Takeshi Ishida, Ryota Okamoto, K. Yagi, Y. Sano, H. Mimura, K. Yamauchi, Atomic-scale flattening of SiC surfaces by electroless chemical etching in HF solution with Pt catalyst, Applied Physics Letter, 90(2007), 202106-1-3
  53. H. Hara, Y. Sano, K. Arima, K. Yagi, J. Murata, A. Kubota, H. Mimura, K. Yamauchi*, Catalyst-referred etching of silicon, Science and Technology of Advanced Materials, 8(2007), 162-165
  54. K. Yagi*, J. Murata, H. Hara, Y. Sano, K. Yamauchi, H. Goto, Fabrication of damascene Cu wirings using solid acidic catalyst, Science and Technology of Advanced Materials, 8(2007), 166-169
  55. H. Hara, Y. Sano, H. Mimura, K. Arima, A. Kubota, K. Yagi, J. Murata, K. Yamauchi*, Damage-free planarization of 4H-SiC(0001) by catalyst-referred etching, Material Science Forum, 556-557(2007), 749
  56. H. Hara, Y. Sano, H. Mimura, K. Arima, A. Kubota, K. Yagi, J. Murata, K.Yamauchi*, Novel abrasive-free planarization of 4H-SiC (0001) using catalyst, Journal of Electronic Materials, 35(2006), L11-L14

学会発表

2019年度以降のみ掲載

  1. 植村采奈，山﨑克真，村田順二，固相電解酸化によるフッ素化合物の分解と微小液滴アレイへの応用，2024年度精密工学会秋季大会，岡山大学，2024年9月6日
  2. 辻淳喜，村田順二，固体電解質膜 /Cu界面の固相陽極溶解による微細パターニングの高精度化のための加工条件の最適化，2024年度精密工学会秋季大会，岡山大学，2024年9月6日
  3. 早川晋平，村田順二，高分子電解質を用いた固相電解酸化によるTi表面の改質，2024年度砥粒加工学会学術講演会，アオーレ長岡，2024年8月28日
  4. 橋本佳奈，辻淳喜，村田順二，固体高分子電解質膜/陽極界面の固相陽極溶解を利用した鉄系材料の微細パターン形成，2024年度砥粒加工学会学術講演会，アオーレ長岡，2024年8月26日
  5. 藤井達也，辻淳喜，村田順二，高分子電解質膜を用いた固相電気分解によるAuのマイクロ酸化膜パターン形成，2024年度砥粒加工学会学術講演会，アオーレ長岡，2024年8月26日
  6. 巳波福也，美濃羽正士，村田順二，固体高分子電解質を利用したSiC の電解酸化援用研磨における砥粒の最適，2024年度砥粒加工学会学術講演会，アオーレ長岡，2024年8月26日
  7. 藤井達也，辻淳喜，村田順二，高分子電解質膜を用いた固相電気分解によるAuの酸化膜パターン形成，2024年度精密工学会関西地方定期学術講演会，立命館いばらきフューチャープラザ，2024年6月21日
  8. 橋本佳奈，辻淳喜，村田順二，固体高分子電解質膜/陽極界面の固相陽極溶解を利用した鉄系材料の微細パターン形成，2024年度精密工学会関西地方定期学術講演会，立命館いばらきフューチャープラザ，2024年6月21日
  9. 早川晋平，村田順二，高分子電解質を用いた低温固相陽極酸化によるTiO2薄膜の形成，2024年度精密工学会関西地方定期学術講演会，立命館いばらきフューチャープラザ，2024年6月21日
  10. 小森竜馬，村田順二，高分子電解質膜のイオン輸送を利用した銅の電解研磨，2024年度精密工学会関西地方定期学術講演会，立命館いばらきフューチャープラザ，2024年6月21日
  11. 太田篤志，村田順二，高分子電解質を用いた電気化学インプリントによるSiC への微細構造の形成，2024年度精密工学会関西地方定期学術講演会，立命館いばらきフューチャープラザ，2024年6月21日
  12. 巳波福也，美濃羽正士，村田順二，固体高分子電解質を利用したSiCの電解酸化援用研磨における最適な砥粒の検討，2024年度精密工学会関西地方定期学術講演会，立命館いばらきフューチャープラザ，2024年6月21日
  13. 青木優大，稲田直樹，村田順二，炭化水素系高分子電解質を用いたECMPによるSiCの研磨特性，2024年度精密工学会関西地方定期学術講演会，立命館いばらきフューチャープラザ，2024年6月21日
  14. 辻淳喜，村田順二，固体体電解質膜/Cu界面の固相陽極溶解を利用した微細パターンの形成， 電気化学会第91回大会，2024年
  15. 中谷有志，辻淳喜，村田順二，高分子電解質を用いた固相電解加工によるCu段差解消性能の評価， 2024年度精密工学会春季大会学術講演会，2024年
  16. Junji Murata, Electrochemical Mechanical Polishing of SiC Wafer Using Solid Polymer Electrolyte, 2024 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CSMANTECH2024), Tucson Arizona, 2024年5月(Invited)
  17. 藤井達也，辻淳喜，村田順二，高分子電解質膜を用いた固相電気分解によるAuの酸化膜パターン形成， 2024年度精密工学会春季大会学術講演会第31回「学生会員卒業研究発表講演会」，2024年
  18. 早川晋平，村田順二，高分子電解質を用いた低温固相陽極酸化によるTiO₂薄膜の形成， 2024年度精密工学会春季大会学術講演会第31回「学生会員卒業研究発表講演会」，2024年
  19. 青木優大，村田順二，稲田直希，固相電解酸化援用研磨によるSiCの高効率平滑化， 2024年度精密工学会春季大会学術講演会第31回「学生会員卒業研究発表講演会」，2024年
  20. 小森竜馬，村田順二，中谷有志，高分子電解質膜のイオン輸送を利用した銅の電解研磨， 2024年度精密工学会春季大会学術講演会第31回「学生会員卒業研究発表講演会」，2024年
  21. 太田篤志，山﨑克真，村田順二，高分子電解質を用いた電気化学インプリントによるSi・SiCへの酸化膜パターンの形成， 2024年度精密工学会春季大会学術講演会第31回「学生会員卒業研究発表講演会」，2024年
  22. 植村采奈，小川優姫菜，村田順二，高分子電解質膜を用いた電気化学的表面処理による濡れ性コントラストの作製，2023年度精密工学会秋季大会，2023年
  23. 辻淳喜，村田順二，固体電解質のイオン輸送を用いたCuの全固相電気化学パターニングにおける加工条件の影響，2023年度精密工学会秋季大会，2023年
  24. 山﨑克真，辻淳喜，村田順二，固体電解質膜を用いた電気化学インプリントにおけるパターン精度の向上，2023年度精密工学会秋季大会，2023年
  25. 稲田直希，村田順二，高分子電解質を用いたSiCの環境調和型ECMP，2023年度精密工学会秋季大会，2023年
  26. 中谷有志，村田順二，高分子電解質のイオン輸送を利用した固相電解加工によるCu平坦化，2023年度精密工学会秋季大会，2023年
  27. 巳波福也，村田順二，電解酸化を援用した触媒基準エッチングによる純銅の平滑化，2023年度精密工学会秋季大会，2023年
  28. 宮本健太，村田順二，ロール電極の適用による溶液フリー電気化学的インプリントリソグラフィ，2023年度精密工学会秋季大会，2023年
  29. Atsuki Tsuji, Junji Murata, Direct micropatterning of Cu using polymer electrolyte membrane stamp, International Conference on Precision Engineering and Sustainable Manufacturing (PRESM2023), Okinawa, 2023年7月17日
  30. 山﨑克真，松田竜樹，村田順二，高分子電解質膜を用いた電気化学インプリントの開発−アルカリエッチングの併用による微細構造制御−，精密工学会春季大会学術講演会，2023年
  31. 辻　淳喜，村田順二，固体電解質のイオン輸送を利用した Cuエッチングによる微細パターニング，精密工学会春季大会学術講演会，2023年
  32. 稲田直希，王　国棟，村田順二，高分子電解質を用いた SiC の高効率ECMP −高耐久性電解質パッドの作製−，精密工学会春季大会学術講演会，2023年
  33. 植村采奈，辻淳喜，村田順二，⾼分⼦電解質膜を⽤いた電気化学的表⾯処理による濡れ性パターンの作製，精密工学会春季大会学生会員卒業研究発表講演会，2023年
  34. 中谷有志，村田順二，山路恭平，ヒドロキシアパタイト固定化⾦属触媒を⽤いた炭化ケイ素の化学機械研磨，精密工学会春季大会学生会員卒業研究発表講演会，2023年
  35. 加洲大輔，Phung Tan Phuc，村田順二，磁気粘弾性エラストマーの研磨パッドへの応用，精密工学会秋季大会学術講演会，2022年
  36. 山路恭平，村田順二，機械加工への応用を目指したヤヌス粒子の開発−無電解 Ni-P めっきを用いた製造法の検討−，精密工学会秋季大会学術講演会，2022年
  37. 村島悠介，村田順二，高分子電解質膜を用いた電解加工による単結晶SiC 表面の微細構造作製，精密工学会秋季大会学術講演会，2022年
  38. 辻淳喜，村田順二，電気化学機械研磨を用いたチタン系材料の研磨特性の向上，精密工学会関西地方定期学術講演会，2022年
  39. 稲田直希，村田順二，高分子電解質を用いた半固定砥粒パッドによる SiC の ECMP 特性，精密工学会関西地方定期学術講演会，2022年
  40. 山崎克真，村田順二，高分子電解質膜を用いた電気化学インプリントによる単粒子膜構造の形成，精密工学会関西地方定期学術講演会，2022年
  41. 稲石翔馬，村田順二，磁性を有するハイブリッド研磨粒子の作製とサファイアの磁気援用研磨特性，精密工学会春季大会学術講演会，2022年
  42. 土田ひなの，村田順二，電解液を用いない電解加工—アルカリエッチングの併用によるパターン形成—，精密工学会春季大会学術講演会，2022年
  43. 松田竜樹，山﨑克真，村田順二，高分子電解質を用いた電気化学インプリントリソグラフィによる半導体ウェハのテクスチャリング，精密工学会春季大会学術講演会，2022年
  44. 清水昂平，Jia Pengfei，村田順二，高分子電解質を用いた固相電析法によるパターン Cu 薄膜の生成，精密工学会春季大会学術講演会，2022年
  45. 稲田直希，巴山顕真，村田順二，アルギン酸を結合剤とした半固定砥粒パッドのガラス研磨特性，精密工学会春季大会学生会員卒業研究発表講演会，2022年
  46. 山﨑克真，松田竜樹，村田順二，⾼分⼦電解質膜を⽤いた電気化学インプリントによる単粒⼦膜構造の形成，精密工学会春季大会学生会員卒業研究発表講演会，2022年
  47. 辻淳喜，Jia Pengfei，村田順二，電解援⽤研磨を⽤いたチタン系材料の平滑化，精密工学会春季大会学生会員卒業研究発表講演会，2022年
  48. 巴山顕真，稲田直希，村田順二，固体高分子電解質を含浸させた半固定砥粒工具によるSiCのECMP 特性，精密工学会秋季大会学術講演会，2021年
  49. 梅崎凌平，村田順二，高分子電解質を用いた電気化学インプリント技術の開発 —水分供給システムが加工特性に与える影響の検討—，精密工学会秋季大会学術講演会，2021年
  50. 森本英太，梅崎凌平，村田順二，高分子電解質を用いた電気化学インプリント技術の開発 —ロール電極の適用による大面積化—，精密工学会秋季大会学術講演会，2021年
  51. 門田紳司，村中紘輝，村田順二，表面化学組成制御カルボニル鉄粉による磁気援用研磨特性，精密工学会秋季大会学術講演会，2021年
  52. 辻淳喜，JIA Pengfei，村田順二，高分子電解質を用いた電解援用研磨法の開発—難加工金属の平滑化への適用—，2021年度精密工学会秋季大会学術講演会，2021年
  53. 村田順二，石丸太一，山﨑小有里，天然由来結合剤を用いた酸化セリウム固定砥粒パッドによるガラス研磨特性，2021年度砥粒加工学会学術講演会，2021年
  54. 石川隆幸, 村田順二, 小宮沙和，精密研磨への応用を目指した親水/疎水面を有するJanus粒子の作製，精密工学会大会学術講演会講演論文集，2021年
  55. 梅崎凌平, 土田ひなの, 村田順二，高分子電解質を用いた電気化学的インプリントリソグラフィ技術の開発，精密工学会大会学術講演会講演論文集，2021年
  56. JIA Pengfei, 梅崎凌平, 村田順二，高分子電解質を用いたTiの電気化学的表面改質，精密工学会大会学術講演会講演論文集，2021年
  57. 巴山顕真, CHE Nor Syahirah Binti Che Zulkifle, 村田順二，高分子電解質を用いたワイドギャップ半導体の高能率電解複合研磨，精密工学会大会学術講演会講演論文集，2021年
  58. J. Murata, Y. Nishiguchi, Liquid-electrolyte-free electrochemical surface finishing of GaN surface using a solid polymer electrolyte, Int. Conf. Prec. Eng. (2020)
  59. R. Umezaki, J. Murata, Microstructure fabrication method using a novel electrolyte-free electrochemical treatment with patterned polymer electrolyte membranes, Int. Conf. Prec. Eng. (2020)

受賞

※2019年度以降のみ掲載

  1. 巳波福也，2024年度砥粒加工学会 優秀協創賞
  2. 青木優大，2024年度精密工学会関西地方定期学術講演会ベストポスタープレゼンテーション賞
  3. 小森竜馬，2024年度精密工学会関西地方定期学術講演会ベストポスタープレゼンテーション賞
  4. 辻淳喜，電気化学学会第91回大会優秀学生講演賞
  5. 藤井達也，第31回精密工学会学生会員卒業研究発表講演会エクセレントプレゼンテーション賞
  6. 辻淳喜，2023年度精密工学会秋季大会学術講演会ベストポスタープレゼンテーション賞
  7. 山﨑克真，2023年度精密工学会関西地方定期学術講演会ベストポスタープレゼンテーション賞
  8. 辻　淳喜，2023年度精密工学会関西地方定期学術講演会ベストポスタープレゼンテーション賞
  9. 山﨑克真，2023年度精密工学会春季大会学術講演会ベストプレゼンテーション賞
  10. Junji Murata, Kenshin Hayama, Atsuki Tsuji，ICPE2022 Best Paper Award
  11. 稲田直希，2022年度精密工学会関西地方定期学術講演会ベストポスタープレゼンテーション賞
  12. 稲石翔馬，2022年度精密工学会春季大会学術講演会ベストプレゼンテーション賞
  13. 土田ひなの，2022年度精密工学会春季大会学術講演会ベストプレゼンテーション賞
  14. 村田順二，砥粒加工学会賞論文賞
  15. 森本英太，2021年度精密工学会秋季大会学術講演会ベストプレゼンテーション賞
  16. 土田ひなの，2021年度精密工学会関西地方定期学術講演会ベストポスタープレゼンテーション賞
  17. 梅崎凌平，2021年度精密工学会春季大会学術講演会ベストプレゼンテーション賞
  18. 巴山顕真，2021年度精密工学会春季大会学術講演会ベストプレゼンテーション賞

書籍・解説記事

※2019年度以降のみ掲載

  1. 村田順二，次世代半導体用の難加工結晶材料のための超精密加工技術，第8章第3節　固体電解質応用電気化学融合機械研磨，R&D支援センター，2024年4月30日，pp. 474-479.
  2. 村田順二，シリコンと加工物半導体の超精密・微細加工プロセス技術―工程別加工技術の基礎と最新動向―，第40章　固体電解質を用いた電気化学メカニカルポリシング，2024年6月28日，pp. 431-436.
  3. 村田順二，電解液を用いない環境調和型電気化学機械研磨，日本機械学会誌　特集 物理化学ナノ製造プロセスの最前線，126(2023), 18-21.
  4. 村田順二，辻淳喜，電気化学機械研磨によるTi表面の超平滑化，チタン，71(2023), 26-40.
  5. 村田順二，辻淳喜，電気化学機械研磨によるTi合金の超平滑化加工技術，金属，93(2023)，47-52.

講演・セミナー

※2019年度以降のみ掲載

  1. 村田順二，環境調和型精密加工技術による機能表面創成，滋賀経済産業協会 令和6年度第1回技術委員会，立命館大学，2024年9月12日（依頼講演）
  2. 村田順二，固体電解質を用いたSiCの電気化学機械研磨，精密工学会関西支部 2024年度生産技術特別セミナー －工作機械,切削,研削,加工計測,設計・生産システムの基礎と最新動向－，大阪公立大学文化交流センター，2024年7月23日（依頼講演）
  3. 村田順二，固相電気化学プロセスによる機能表面創成，2024年度SRセンター研究成果報告会，立命館大学ローム記念館，2024年6月22日（依頼講演）
  4. 村田順二，固体電解質を用いた環境調和型ECMPによるSiCウェハの高効率平滑化，精密工学会第433回講習会，中央大学，2023年11月17日（依頼講演）
  5. 村田順二，固体電解質を用いた電気化学的表面加工～SiCの研磨を中心に～，精密工学会関西支部 2023年度生産技術特別セミナー －工作機械,切削,研削,加工計測,設計・生産システムの基礎と最新動向－，大阪公立大学文化交流センター，2023年6月1日（依頼講演）
  6. 村田順二，固体電解質を用いた環境調和型電気化学機械研磨，第15回 技能伝承フォーラム 理研シンポジウム：「ものづくり技能継承の現状と展望」，オンライン，2023年1月20日（依頼講演）
  7. 村田順二，固体電解質を用いた環境調和型ECMPによるSiCの高効率平滑化，砥粒加工学会　次世代固定砥粒加工プロセス専門委員会　第106回研究会，パワー半導体材料の基板加工技術最前線ーSi，SiC，GaNの研削・研磨他ー，TKP神田駅前ビジネスセンター，2022年12月5日
  8. 村田順二，固体電解質パットを用いたSiC研磨，応用物理学会 先進パワー半導体分科会　第10回個別討論会 ワイドバンドギャップ半導体基板の研磨・加工技術，大阪大学医学・工学研究科東京ブランチ，2022年8月4日（依頼講演）
  9. 村田順二，固体電解質を用いた機能性材料の電気化学的表面創成～単結晶SiC基板の研磨を中心に～，第1回砥粒加工学会アフタヌーンセミナー　半導体・機能薄膜デバイス研磨技術の最新動向，オンライン，2022年6月24日（依頼講演）
  10. 村田順二，固体電解質を用いた電気化学的表面加工～SiCの研磨を中心に～，精密工学会関西支部2022年度 生産技術特別セミナー　－工作機械,切削,研削,加工計測,設計・生産システムの基礎と最新動向－，大阪私立大学文化交流センター，2022年6月13日（依頼講演）

報道等

※2019年度以降のみ掲載

  1. 「隠れた情報 吐息で出現」，産経新聞（京都），2024年5月19日
  2. 「隠れた文字が息で浮かび上がる技術」，雑誌 子供の科学，2024年5月10日
  3. 「シリコン表面に微細加工 吐息で浮かぶ文字・模様」，日経新聞，2024年5月11日
  4. 「隠れた情報　フッと浮かぶ」，中日新聞，2024年5月11日
  5. 今に花咲き実を結ぶ「電気でSiCを研磨する」，生産財マーケティング，第59巻，第10号，A146，2022年10月1日
  6. 知の最前線 ～SiCウェハ加工編～「独自電気CMP技術で研磨速度10倍」，化学工業日報，2022年4月20日
  7. 「半導体材料 研磨効率を大幅工場～立命館大 薬液不要で環境負荷減～」，化学工業日報，2021年12月8日

競争的研究資金

※2019年度以降のみ掲載．※作業中

  1. 科学技術振興機構（JST） 創発的研究支援事業，電解液を用いない電気化学的微細表面構造創成，2023年4月～，代表（村田順二）
  2. 科研費 基盤研究(B) 固体電解質を用いた環境調和型電気化学機械研磨のメカニズム解明と技術体系の構築，2023年4月～2026年3月（予定），代表（村田順二）
  3. 科研費 挑戦的研究（萌芽）固体電解質のイオン輸送を用いた環境調和型電気化学表面プロセスの開発，2023年6月～2025年3月（予定），代表（村田順二）
  4. 科研費 基盤(C)，固体電解質を用いたGaN表面の電解援用ドライポリシングの開発，2019年4月～2023年3月，代表（村田順二)
  5. 三豊科学技術振興協会 令和3年度研究助成，電解液フリー電気化学的インプリントリソグラフィによるマイクロ・ナノパターン形成，2021年度，代表（村田順二）
  6. NSKメカトロニクス技術高度化財団 2020年度研究助成，電解液を用いない電気化学的表面創成：硬質材料のトライボロジー特性向上への応用，2020年度，代表（村田順二）